Ученые Физико-технического института имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук вместе с партнерами из Саратова и Белоруссии обнаружили новый физический эффект. Он дает возможность менять характеристики магнитных материалов при помощи сверхбыстрых лазерных импульсов. По информации «Известий», эта технология дает возможность изменить состояние носителя данных за доли секунды, при этом не требуется экстремально низких температур.
Метод основан на переводе антиферромагнитного материала в особое, так называемое «скрытое» состояние. Лазерное излучение влияет на магнитные моменты вещества (их можно сравнить со стрелками компаса), что позволяет почти мгновенно менять их ориентацию. До настоящего времени подобные операции были осуществимы лишь при охлаждении ниже минус 196 градусов Цельсия, что делало невозможным использование в обычной электронике.
«Нам впервые удалось быстро переключить магнитное состояние антиферромагнетика лазером при температуре немного выше комнатной», — рассказала участник проекта, младший научный сотрудник лаборатории физики ферроиков ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Анна Кузикова.
Применение этой разработки открывает путь к созданию совершенно нового поколения устройств для хранения информации. Они будут значительно превосходить существующие аналоги по быстродействию, экономичности энергопотребления и сроку службы.
В исследованиях также участвовали специалисты Научно-практического центра НАН Беларуси по материаловедению (Минск) и Саратовского национального исследовательского государственного университета имени Н.В. Чернышевского.
Подробнее читайте в эксклюзивном материале «Известий»:
Секрет материала: «скрытое» состояние магнита увеличит скорость жестких дисков